Исследовано влияние легирования атомами меди на свойства селенида висмута как катодного материала литиевых элементов. Представлены результаты измерения электрических характеристик, их анизотропии, структурных свойств Bi2Se3< Cu> и разрядных параметров литиевых элементов. Установлено, что добавление 1 маc. % Cu к стехиометрическому количеству селенида висмута понижает концентрацию свободных электронов, анизотропию проводимости и повышает холловскую подвижность электронов вдоль слоев.
