Методом компьютерной оптимизации выбрана эквивалентная схема, описывающая поведение электрохимического импеданса твердофазной системы RbAg₄J₅ в атмосфере иода. Определены кинетические параметры неосновных носителей заряда - ионов иода, их взаимосвязь с центрами окраски и согласие с моделью аддитивного окрашивания. Проведен сравнительный анализ систем с моно- и поликристаллическими образцами RbAgHs- Показано, что в системе с монокристаллом гетеропереход на границе с графитовым катодом контролируется электронной подсистемой с током обмена от 2,8·10^-2 до 1,2·10^-3 А/см² в зависимости от концентрации паров иода. Системы с поликристаллическим образцом RbAg₄J₅ контролируются сопротивлением переноса заряда и импедансом Варбурга. Определена энергия активации коэффициента диффузии иона Rb+ в зависимости от степени иодирования. Она увеличивается от 0,11 до 0,22 эВ при изменении Сц от 0 до 2·10¹⁷ см^-3. Показано, что при концентрации центров окраски меньшей, чем 4·10¹⁸ см^-3, изменения в электронной подсистеме не влияют на кинетику основных носителей заряда - ионов Ag⁺.